商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@5.4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 518nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 5.13nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)——将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 100%非箝位电感开关——确保更高的可靠性
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器