商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 518nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 5.13nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
-超结场效应晶体管(COOLMOS)-功率半导体-超低导通电阻(Rdson)-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-高耐用性-开尔文源极,便于驱动-极低杂散电感-对称设计-用于功率连接的引线框架-高集成度
应用领域
-交流开关-开关模式电源-不间断电源