商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 17nF |
商品概述
μPA1602是单片N沟道功率MOS FET阵列，内置7个电路，专为LED、继电器、热敏打印头等设计。
商品特性
-CoolMOSTM-超低导通电阻RDSon-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-并联碳化硅肖特基二极管-零反向恢复-零正向恢复-开关特性与温度无关-正向电压VF正温度系数-开尔文源极,易于驱动-极低杂散电感-用于电源连接的引线框架-内置热敏电阻用于温度监测-高度集成
应用领域
-电机控制-开关电源-不间断电源
相似推荐
其他推荐