商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,47.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 17nF |
商品概述
μPA1602是单片N沟道功率MOS FET阵列，内置7个电路，专为LED、继电器、热敏打印头等设计。
商品特性
- 可通过标准逻辑IC或微计算机直接驱动。（可实现4 V驱动）
- 输出电压：V₀最大为30 V。
- 输出电流：I₀最大为500 mA。
- 低输入有效
- 典型导通电阻Rₒₙ = 3 Ω，条件为：I₀ = 150 mA，V₁ = 4.5 V
- 工作温度范围大：-40至+85 °C
应用领域
- 计算机
- 办公设备
- 通信设备
- 测试与测量设备
- 机床
- 工业机器人
- 视听设备
- 其他消费产品
- 汽车及运输设备
- 交通控制系统
- 防灾系统
- 防盗系统
相似推荐
其他推荐