商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.56nF |
商品特性
-超结MOSFET-超低导通电阻RDson-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-非常坚固耐用-开尔文源极,便于驱动-极低杂散电感-内置热敏电阻,用于温度监测
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源
- SSO32L1A171-148.500M
- 51-01-1035-0000
- SI2494-A-FM18-EVB
- 712-87-105-41-001101
- VS150107
- CVCO55BE-1650-2150
- T2196502120-001
- 1301490051
- WP934EW/GD5V
- SIT8208AC-82-18S-66.660000
- CW8950-000
- 0382-3-17-80-34-27-02-0
- 8D0-25W19AN
- MWDM1L-9P-6K7-11P
- 3QHM572C0.125-13.560
- MTCX2X-200-200
- DDMAMF50SNM
- 572-002-420-301
- PMV20XNEA,215
- SIT9365AI-2B3-25E325.000000
- SIT1602BC-72-33E-38.400000

