- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2014LHAB-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2014LHAB-13
- 商品编号
- C17291685
- 商品封装
- UDFN2030-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 166pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON) ,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
-电源管理功能-电池组-负载开关
- 831059271
- STR5A453D
- SIT8208AI-GF-28S-33.333000X
- CMB1306-R160-000F0H0A57G
- SIT8208AI-G2-25S-33.330000X
- QEDB501Q3R9B1GV001E
- SG-615P 4.0000MCX ROHS
- SPHWH2L3D30ED4TMK3
- 628-17W2624-3N4
- GCM1555C1H390FA16J
- MTGBEZ-00-0000-0N00J030H
- O6P306
- 516-056-000-600
- RCS2012F1052CS
- XMLBWT-00-0000-000BU20E5
- XPEBWT-L1-R250-007ZA
- XTEAWT-E0-0000-00000HFF4
- SIT8208AI-8F-33S-31.250000X
- IPBT-115-H1-TM-D-GP
- HTST-115-01-L-DV-A-P-TR
- 570QBA000107DGR