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DMC2025UFDBQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有PPAP支持，适用于负载开关、电源管理功能、便携式电源适配器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2025UFDBQ-7
- 商品编号
- C17293070
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V；75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@10V；15nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 486pF；642pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF；87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF；98pF |
商品概述
一款适用于广播发射机和工业应用的200 W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管适用于高频至1500 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 4mm2的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 薄型设计,最大高度0.6mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-负载开关-电源管理功能-便携式电源适配器