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DMN601VKQ-7
2个N沟道 耐压:60V 电流:305mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件，非常适合用于以下场景：通用接口开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN601VKQ-7
- 商品编号
- C17295364
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 305mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
AOTF18N65采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- DMN601VKQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品通过了AEC-Q101认证,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关