- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN62D4LDW-7
2个N沟道 耐压:60V 电流:261mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D4LDW-7
- 商品编号
- C17296424
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 261mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.04nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能
- TFM-110-02-L-DH
- XQEGRN-H2-0000-000000C02
- SPCM-780-60-BR2
- SIT8208AI-3F-33S-66.000000T
- SIT8208AI-G2-28S-14.000000Y
- LFSPXO082176RL3K
- RCS0603J121CS
- GCM2195G2A122JA16D
- PE30L0FR222MLB
- SG-8018CE 125.0987M-TJHPA0
- 656L8675C3T
- TEM-120-02-07.0-H-D-A-K-TR
- MHBAWT-0000-000F0HD230H
- XTEAWT-00-0000-000000GE2
- GCM155R71H472MA37D
- GTT50A-TPC-BLM-B0-H1-CS-V5
- 9718-19S
- SG-8018CA 50.2633M-TJHPA0
- AP2553FDC-7R
- SG-8018CA 25.8048M-TJHPA0
- 622-015-368-042