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DMP31D7LDWQ-7
2个P沟道 耐压:30V 电流:550mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP31D7LDWQ-7
- 商品编号
- C17301267
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 19pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
XP151A12A2MR-G是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于可以实现高速开关，因此能够高效设置IC，从而节省能源。 为了防止静电，内置了栅极保护二极管。 小型SOT - 23封装可实现高密度安装。
商品特性
- 低导通电阻：在Vgs = 4.5V时，Rds(on) = 0.1 Ω
- 在Vgs = 2.5V时，Rds(on) = 0.16 Ω
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压：2.5V
- N沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 小封装：SOT - 23
- 环保：符合欧盟RoHS标准，无铅
应用领域
- 笔记本电脑
- 手机和便携式电话
- 车载电源
- 锂离子电池系统