- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT3020LFDB-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3020LFDB-13
- 商品编号
- C17305846
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 393pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 173pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 厚度——适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能
- DMTH6015LDVW-7
- SG-8018CB 125.0000M-TJHSA0
- 8NE-30.000MDE-T
- 103735-3
- 628-037-228-247
- GCM1885C1H102GA16D
- SG-8018CG 52.8000M-TJHSA0
- RC1191-TM-DK
- SIT8208AI-2F-28S-12.288000X
- 530HC000106DGR
- SIT8208AC-G1-28S-77.760000X
- SIT8208AI-2F-18E-6.000000X
- SCRH2D14-2R2
- BPSC00131380150T00
- SPMWH12224D7W8PMSA
- 629-27W2640-4T4
- 629-3W3-640-5TE
- SIT8208AC-GF-33S-30.000000Y
- 11655-06_T6
- UPGA301AE3/TR13
- IHSM4825ER560L