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DMC1016UPD-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:9.5A
- 描述
- 新一代互补对增强型MOSFET旨在最小化RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC1016UPD-13
- 商品编号
- C17286934
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,7.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.103nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 311pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 351pF |
商品概述
适用于基站应用的550 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2100 MHz至2200 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容，提升Doherty应用的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 适用于2100 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器