DMT6015LPDW-13

2个N沟道耐压:60V 电流:9.4A 电流:17.1A

品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DMT6015LPDW-13
商品编号: C17287293
商品封装: DFN-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.274克(g)

商品参数

商品概述

这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

~~- 超结MOSFET-超低导通电阻RDSon-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-坚固耐用-开尔文源极,易于驱动-极低杂散电感-内置热敏电阻用于温度监测-高频运行时性能卓越-可直接安装到散热器上(隔离封装)-结到外壳的热阻低-电源和信号引脚均可焊接,便于PCB安装-薄型设计-每条支路可轻松并联,实现电流能力翻倍的相支路-符合RoHS标准

应用领域

-无线充电-直流-直流转换器-电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	17.1A
	导通电阻(RDS(on))	24.5mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	7.9W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	-