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DMT6015LPDW-13实物图
  • DMT6015LPDW-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT6015LPDW-13

2个N沟道 耐压:60V 电流:9.4A 电流:17.1A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT6015LPDW-13
商品编号
C17287293
商品封装
DFN-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.274克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)17.1A
导通电阻(RDS(on))24.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)7.9W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)-

商品特性

~~- 超结MOSFET-超低导通电阻RDSon-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-坚固耐用-开尔文源极,易于驱动-极低杂散电感-内置热敏电阻用于温度监测-高频运行时性能卓越-可直接安装到散热器上(隔离封装)-结到外壳的热阻低-电源和信号引脚均可焊接,便于PCB安装-薄型设计-每条支路可轻松并联,实现电流能力翻倍的相支路-符合RoHS标准

应用领域

-无线充电-直流-直流转换器-电源管理

数据手册PDF