- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT6018LDR-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:8.8A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6018LDR-13
- 商品编号
- C17288718
- 商品封装
- VDFN3030-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 869pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在945 MHz / 28 V条件下，输出功率（Pout）为45 W，增益为13 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
-电源管理功能-模拟开关
- MT1000E
- XEGAWT-H2-0000-000-00000UT445G
- XQERDO-00-0000-000000803
- 500T012M21H
- GCM1885C1H5R2CA16J
- S7A2510-100.000-L-X-R
- CDBHM1100L-G
- 3S616-62S4-B00 PP
- HIF6B-60PA-1.27DS(71)
- 0014562087
- SIT8208AC-3F-25E-40.000000T
- SIT8208AC-2F-33S-12.800000X
- ER1002_T0_00001
- 980-0000-177
- SG-8018CA 8.2500M-TJHPA0
- MDM-21SSB
- ZSS-107-07-S-D-1035
- 14634
- A1227LLHLT-T
- SIT8208AI-GF-33S-12.800000T
- SIT8208AC-2F-33E-7.372800Y