商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 259nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 输出电容(Coss) | 2.56nF |
商品特性
- 功率半导体
- 超低 RD Son
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 非常坚固耐用
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 高度集成
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 电源和信号引脚均可焊接,便于 PCB 安装
- 薄型设计
- 每条支路可轻松并联,以实现电流能力加倍的相支路
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
- 531985-3
- 630-7W2-250-2NC
- SG-8018CB 49.6640M-TJHPA0
- BLC2021-BL
- 3130-40-0103-00
- NGB8207ABNT4G
- 628W7W2-224-3ND
- M80-5S20642MD
- PS45M-0MC1BR100K
- 7-6609945-4
- FN9290B-6-06
- 0050579524
- QTM532-2.048MCE-T
- PB6180001
- 1444400000
- 600H005-33RN
- VN163200102V
- ZPF000000000020843
- SG-8018CB 50.3467M-TJHPA0
- SIT8208AC-31-18S-30.000000
- 660-009NF20N

