- 引脚图
- 焊盘图
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NGB8207ABNT4G
NGB8207ABNT4G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGB8207ABNT4G
- 商品编号
- C17246455
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 365V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.2V@3.7V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）采用单片电路，集成了ESD和过压钳位保护，适用于电感线圈驱动应用。主要应用包括点火、直接燃油喷射，或任何需要高压和大电流开关的场合。
商品特性
- 适用于线圈直插式和驱动器集成式线圈应用
- 栅极 - 发射极ESD保护
- 温度补偿栅极 - 集电极电压钳位，限制施加到负载的应力
- 集成ESD二极管保护
- 低阈值电压，便于功率负载与逻辑或微处理器设备接口
- 低饱和电压
- 高脉冲电流能力
- 最小雪崩能量 - 500 mJ
- 栅极电阻(RG) = 70 Ω
- 这是一款无铅器件
应用领域
点火系统