APTM10DSKM19T3G
2个N沟道 耐压:100V 电流:70A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM10DSKM19T3G
- 商品编号
- C17247788
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 功率MOS V MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 内置热敏电阻,可进行温度监测
- 高频操作时性能出色
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 低结到外壳热阻
- 电源和信号引脚均可焊接,便于PCB安装
- 薄型设计
- 每条支路可轻松并联,实现两倍电流能力的单降压
- 符合RoHS标准
应用领域
-交流和直流电机控制-开关电源
其他推荐
- NCP15XM331E03RC
- M22XP-ASB01-E30-G
- M83513/03-A14N
- 54-558
- GP55-3572-FTW
- 2000676-5
- K22XHT-A15P-NJ30
- 1801-0-15-80-30-84-04-0
- SIT8209AC-82-25E-161.132800
- 66F085-0445
- SIT9365AI-1E2-30E77.760000
- SIT1602BC-72-25S-38.400000
- 953371-3
- EVAL6EDL04N02PRTOBO1
- MHBAWT-0000-000F0HC427G
- SPMWHT541ML5XAPNS0
- SIT9121AI-2D2-33E162.500000
- MLBAWT-A1-R250-000WF5
- 637-M15-330-BT2
- 122517-HMC746LC3C
- MRF7S38040HSR5