商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900W | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
适用于基站应用的550 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2620 MHz至2690 MHz。
商品特性
~~- 出色的耐用性-高效率-低热阻,提供出色的热稳定性-较低的输出电容,可提升Doherty应用中的性能-低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力-内部匹配,使用方便-集成ESD保护
应用领域
适用于2620 MHz至2690 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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