商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 5.34nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 快速沟槽 + 场截止 IGBT3 技术
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达 20 kHz
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向电压
- 低泄漏电流
- 具备反向偏置安全工作区（RBSOA）和短路安全工作区（SCSOA）额定值
- 带有 Kelvin 发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引脚框架
- 高度集成
- 内置用于温度监测的热敏电阻
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正