- 引脚图
- 焊盘图
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APT75GN60BG
APT75GN60BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT75GN60BG
- 商品编号
- C17229488
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.5625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 536W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 155A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 485nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 370pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 150pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 47ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 385ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用了最新的场截止和沟槽栅技术，具有极低的VCE(ON)，非常适合要求极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密，且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联。内置的栅极电阻确保了即使在短路故障时也能实现极其可靠的运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并将损耗降至最低。
商品特性
- 600V场截止
- 沟槽栅：低VCE(on)
- 易于并联
- 6μs短路能力
- 集成栅极电阻：低EMI、高可靠性
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源
- SIT8256AC-2F-18E-156.253906X
- RC0603F2493CS
- GCM21A5C2J220JX01D
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- DSSGXSRAD01X
- C204IXBSGN06WR50XAC
- PRV6AAABBYB25222KA
- XHP50D-H0-0000-0D0HH435G
- S733025T-12.000-X-M
- STMM-104-02-S-D-SM-LC-P-TR
- 5612301802F
- 630BH003MT192D
- MDSM-25PE-VR17
- SIT8208AC-3F-33S-10.000000T
- TSS-108-02-L-S
- SIT8208AC-32-18E-19.200000
- QSCF500Q9R1D1GV001T
- GP55-1650-FTW
- B57356V5473H260
- 146085-1
- K2000GHAP