- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT40GP90B2DQ2G
APT40GP90B2DQ2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT40GP90B2DQ2G
- 商品编号
- C17228432
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 900V | |
| 集电极电流(Ic) | 101A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V；3.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,40A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 325pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 14ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ；2.28mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.245mJ；795uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 240ns；300ns；145ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 具备SSOA额定值
- 低栅极电荷
- 超快速尾电流关断
- GCM3195G1H223JA16D
- R8216NL
- 142-40-324-00-594000
- M30-6000346R
- SIT8208AI-GF-28E-33.333300T
- EVB90316-GO
- XD16AWT-P0-0000-00000UC8G
- 621-M09-260-BT2
- 516-090-000-215
- LTMM-113-02-S-D-SM-LC-26
- XD16AWT-H0-0000-00000UD5G
- CSHB0430R-3R3M
- XQEROY-00-0000-000000K03
- SPHWH2L3D30ED4V0J3
- 6-104909-7
- 1511181570
- FN9244S1R-3-06
- SG-8018CE 5.3330M-TJHPA0
- SG-8018CA 147.5000M-TJHPA0
- P3519-223J
- SG-8018CB 151.165440M-TJHPA0