- 引脚图
- 焊盘图
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APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT200GN60B2G
- 商品编号
- C17228421
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 682W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 283A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 600A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.18uC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 14.1nF | |
| 输出电容(Coes) | 461pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 393pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 50ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 560ns | |
| 导通损耗(Eon) | 13mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 11mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用了最新的场截止和沟槽栅极技术，具有极低的VCE(ON)，非常适合需要极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联。内置栅极电阻确保了即使在短路故障的情况下也能实现极其可靠的运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并将损耗降至最低。
商品特性
- 1200V场截止
- 沟槽栅极：低VCE(ON)
- 易于并联
- 集成栅极电阻：低EMI，高可靠性
- 符合RoHS标准
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源
- APT40GP90B2DQ2G
- 516-056-500-646
- ADN8833CP-EVALZ
- A-HDS 44 PP-WP
- MR25H40DF
- 662304135922
- 1718564002
- CTSPMA6020F-1R0M
- GCM3195G1H223JA16D
- R8216NL
- 142-40-324-00-594000
- M30-6000346R
- SIT8208AI-GF-28E-33.333300T
- EVB90316-GO
- XD16AWT-P0-0000-00000UC8G
- 621-M09-260-BT2
- 516-090-000-215
- LTMM-113-02-S-D-SM-LC-26
- XD16AWT-H0-0000-00000UD5G
- CSHB0430R-3R3M
- XQEROY-00-0000-000000K03