温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ALD110804SCL

4个N沟道耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: ALD
商品型号: ALD110804SCL
商品编号: C17222468
商品封装: SOIC-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.305克(g)

商品参数

商品概述

ALD1115是一款单片互补N沟道和P沟道晶体管对，适用于广泛的模拟应用。这些增强型晶体管采用Advanced Linear Devices公司的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺制造。它在一个封装中集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET。ALD1115是四互补ALD1105的双路版本。 ALD1115具有高输入阻抗和负电流温度系数。该晶体管对专为+1V至+10V系统中的精密信号切换和放大应用而设计，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限大）的电流增益。当源极、漏极和栅极连接在一起并联时，可以构成一个CMOS模拟开关。此外，ALD1115还可作为CMOS反相器、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本组件。 ALD1115适用于需要非常高电流增益β的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益使得通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制，室温下该泄漏电流规定为100pA。V+连接到衬底，衬底是ALD1115的最高正电压电位，通常为SP（5）。同样，V-连接到ALD1115的最低负电压电位，通常为SN（1）。

商品特性

N沟道和P沟道之间的热跟踪
N沟道和P沟道MOSFET的低阈值电压均为0.7V
低输入电容
高输入阻抗 —— 典型值为10^13Ω
低输入和输出泄漏电流
负电流（ IDS）温度系数
增强型（常开）
直流电流增益为10^9
一个封装中包含单个N沟道MOSFET和单个P沟道MOSFET

应用领域

精密电流镜
互补推挽线性驱动器
分立模拟开关
模拟信号斩波器
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样与保持
模拟电流反相器
精密匹配电流源
CMOS反相器级
二极管钳位器
源极跟随器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	420mV@1uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-