ALD1115SAL
1个N沟道+1个P沟道 耐压:10.6V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD1115SAL
- 商品编号
- C17224014
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻rDS(ON)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- N沟道和P沟道之间的热跟踪
- N沟道和P沟道MOSFET的低阈值电压均为0.7V
- 低输入电容
- 高输入阻抗 —— 典型值为10^13Ω
- 低输入和输出泄漏电流
- 负电流(IDS)温度系数
- 增强型(常开)
- 直流电流增益为10^9
- 一个封装中包含单个N沟道MOSFET和单个P沟道MOSFET
应用领域
- 精密电流镜
- 互补推挽线性驱动器
- 分立模拟开关
- 模拟信号斩波器
- 差分放大器输入级
- 电压比较器
- 数据转换器
- 采样与保持
- 模拟电流反相器
- 精密匹配电流源
- CMOS反相器级
- 二极管钳位器
- 源极跟随器