ALD1108ESCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 3mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.01V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 电可编程模拟器件
- 成熟的非易失性CMOS技术
- 可在2V、3V、5V至10V电压下工作
- 灵活的基本电路构建模块和设计元素
- 极高的分辨率——平均电微调电压分辨率为0.1mV
- 宽动态范围——电流水平从0.1μA到3000μA
- 电压调节范围为1.000V至3.000V,步长为0.1mV
- 典型10年漂移小于2mV
- 可用于电压模式或电流模式
- 高输入阻抗——10^12Ω
- 极高的直流电流增益——大于10^9
- 器件工作电流具有正温度系数范围和负温度系数范围,在68μA处存在交叉零温度系数电流水平
- 通过电微调,不同器件之间的导通电阻紧密匹配和跟踪
- 极低的输入电流和泄漏电流
- 低成本的单片技术
- 特定应用或系统内编程模式
- 可选的用户软件控制自动化
- 可选的任何标准/定制配置的电微调
- 微功耗运行
- 提供标准PDIP、SOIC和密封CDIP封装
- 适用于配对平衡电路配置
- 适用于粗调和微调,以及匹配MOSFET阵列应用
- 符合RoHS标准
应用领域
-基于PC的精密电子校准-自动电压微调或设置-对难以触及节点进行远程电压或电流调节-基于PCMCIA的仪器微调-电调节电阻负载-温度补偿电流源和电流镜-电微调/校准电流源-永久性精密预设电压电平转换器-低温度系数电压和/或电流偏置电路-多预设电压偏置电路-多通道电阻上拉或下拉电路-基于微处理器的过程控制系统-便携式数据采集系统-电池供电的终端和仪器-远程遥测系统-电可微调增益放大器-低电平信号调理-传感器和换能器偏置电流-神经网络