ALD1108ESCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 3mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@5V,0.1V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.01V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET