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ALD114904SAL

2个N沟道耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA

品牌名称: ALD
商品型号: ALD114904SAL
商品编号: C17228045
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

ALD114804A/ALD114804/ALD114904A/ALD114904是高精度单片四通道/双通道耗尽型N沟道MOSFET，采用ALD成熟的EPAD® CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。它们是常闭继电器应用的理想功能替代品，因为在未施加任何电源时，它们处于常开（导通）状态，但在系统电源开启时可以关闭或进行调制。当栅极接地时，这些MOSFET具有独特的特性：在低漏极电压水平下以电阻模式工作，在较高电压水平下以电流源模式工作，并提供恒定的漏极电流。 ALD114804A/ALD114804/ALD114904A/ALD114904 MOSFET专为实现出色的器件电气特性匹配而设计。由于这些器件位于同一单片芯片上，它们还具有出色的温度跟踪特性。它们作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟应用，例如电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。除了匹配对的电气特性外，每个单独的MOSFET也具有良好控制的参数，使用户能够依赖与良好匹配特性相对应的严格设计限制。这些耗尽型器件的设计旨在实现最小的失调电压和差分热响应，适用于单电源（0.4V至+5V）或双电源（+/-0.4V至+/-5V）系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，因此可用于依赖亚阈值特性的设计中。 ALD114804A/ALD114804/ALD114904A/ALD114904适用于需要非常高电流增益β的精密应用，如电流镜和电流源。在25°C下，当漏极电流为3mA且输入泄漏电流为30pA时，直流电流增益的示例计算为3mA / 30pA = 100,000,000。对于大多数应用，将V+引脚连接到系统中最正的电压，将V-和IC引脚连接到系统中最负的电压。所有其他引脚的电压必须始终在这些电压限制范围内。

商品特性

耗尽型（常开）
精确的栅极阈值电压：-0.40V +/-0.02V
栅源电压为0.0V时，标称漏源导通电阻为5.4 KΩ
MOSFET之间特性匹配
批次间参数控制严格
低输入电容
栅源阈值电压匹配（失调电压） - 20 mV
高输入阻抗 — 典型值为10^12 Ω
栅源阈值电压温度系数为正、零和负
直流电流增益 >10^8
低输入和输出泄漏电流

应用领域

B型（常闭）继电器的功能替代
超低功耗（纳瓦）模拟和数字电路
超低工作电压（<0.2V）模拟和数字电路
亚阈值偏置和操作电路
报警系统中的零功耗故障安全电路
备用电池电路
电源故障和故障安全检测器
源极跟随器和高阻抗缓冲器
精密电流镜和电流源
电容式探头和传感器接口
电荷检测器和电荷积分器
差分放大器输入级
高端开关
峰值检测器和电平转换器
采样与保持
电流倍增器
分立模拟开关和多路复用器
分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	连续漏极电流(Id)	12mA
	导通电阻(RDS(on))	5.4kΩ@0V
	耗散功率(Pd)	500mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	380mV@1uA
	输入电容(Ciss)	2.5pF
	反向传输电容(Crss)	0.1pF
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道