- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISF00DN-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:60A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISF00DN-T1-GE3
- 商品编号
- C17222483
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
- 源极到源极导通电阻极低
- 采用紧凑且散热性能增强的封装集成共漏N沟道MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 优化双向电流流动的电路布局
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- SG-8018CE 164.3563M-TJHSA0
- SG-8018CG 50.2067M-TJHSA0
- DF3EA-10P-2V(21)
- DTA114YMFHAT2L
- SG-8018CA 70.3125M-TJHSA0
- M80-8282042
- SG-8018CG 30.2300M-TJHPA0
- AX7DAF1-164.3555T
- SIT8208AC-2F-33E-33.300000Y
- GCM3195C1H752FA16J
- M24308/24-17F
- 6-102699-4
- NTE5911
- 289-049
- SG-8018CB 47.432728M-TJHPA0
- CPH2-L-EU-A-C5-S-S-E
- 32207605
- SIT8208AC-GF-28S-66.666660Y
- SIT8008AC-71-33S-16.000000
- SIT1602BC-83-18E-38.400000
- SFP-1GE-LX-C