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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
- 源极到源极导通电阻极低
- 采用紧凑且散热性能增强的封装集成共漏N沟道MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 优化双向电流流动的电路布局
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
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