SQ4920EY-T1_GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4920EY-T1_GE3
- 商品编号
- C17226784
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.465nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准,无卤素
应用领域
- 适用于1805 MHz至1880 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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