APTM10HM09FT3G
4个N沟道 耐压:100V 电流:139A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM10HM09FT3G
- 商品编号
- C17216253
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 139A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,69.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@2.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.875nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.47nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.94nF |
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻（RDSon）
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 碳化硅（SiC）并联肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压（VF）具有正温度系数
- 开尔文源极便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于功率连接的引线框架
- 高度集成
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 结到外壳的热阻低
- 功率和信号引脚均可焊接，便于 PCB 安装
- 外形高度极低（12mm）
- 每条支路可轻松并联，实现三倍电流能力的相支路
- 模块可配置为三相桥
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
相似推荐
其他推荐