- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
ARF1501是一款射频功率晶体管,专为高达40 MHz的高功率科学、商业、医疗和工业射频功率发生器及放大器应用而设计。
商品特性
-高性能功率射频封装。-极高的击穿电压,增强耐用性。-低热阻。-氮化处理芯片,提高可靠性。
应用领域
-科学领域射频功率发生器及放大器应用-商业领域射频功率发生器及放大器应用-医疗领域射频功率发生器及放大器应用-工业领域射频功率发生器及放大器应用
- 67F090P
- 103-272G
- ACGRB207-HF
- SG-8018CA 127.8720M-TJHPA0
- 629-47W1650-3NA
- SG-8018CG 47.923230M-TJHPA0
- A114021
- STMM-110-01-G-D-LC
- 516-020-000-422
- CA70C1203GLT
- XPEBLU-L1-0000-00405
- 626L156G3GMT
- 4302-561H
- AFE7769D-35EVM
- G126ADGFGN02WRC0XAL
- 516-120-500-402
- US2KWF-HF
- 516-090-000-606
- 634-062-363-050
- EC3645ETTTS-16.000M TR
- L150-3590500600000