商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 259nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.56nF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 超低导通电阻RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 极低杂散电感
- 开尔文源极,便于驱动
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 高度集成
- 优化导通和开关损耗
- 可直接安装到散热器(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 电源和信号引脚均可焊接,便于PCB安装
- 薄型设计
- 由于VCEsat正温度系数,易于并联
- 符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能转换器