- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJL9801_R2_00001
2个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJL9801_R2_00001
- 商品编号
- C17195121
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 -10V、漏极电流(ID)为 -5.0A 时,导通电阻(RDS(ON))<54mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -3.5A 时,导通电阻(RDS(ON))<61mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -2.5A 时,导通电阻(RDS(ON))<82mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑化合物(无卤素)
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
- N 沟道 MOSFET
- WP4060VH/IGD
- SG-8018CE 12.5480M-TJHPA0
- 3101-1-00-21-00-00-08-0
- 2069980200
- TSS-113-01-T-D-01
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- SG-8018CE 45.5500M-TJHPA0
- ACPL-214-56AE
- TH58BYG3S0HBAI6
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- DPC-16-640
- VS-VSKU41/10
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