ALD110908ASAL
2个N沟道 耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA
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- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD110908ASAL
- 商品编号
- C17195129
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@4.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 820mV@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 4mm²的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 薄型设计，最大高度0.6mm
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件，且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 负载开关-电源管理功能-便携式电源适配器