TH58BYG3S0HBAI6

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描述: TH58BYG3S0HBAI6是一款单1.8V 8Gbit (8,858,370,048 bits) NAND Flash存储器，支持ECC校验，适用于高密度非易失性数据存储。它具有4224字节的页面大小和256K + 8K字节的块大小。擦除操作以单个块单位进行，编程和擦除操作自动执行。
品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TH58BYG3S0HBAI6
商品编号: C17195132
商品封装: VFBGA-67(6.5x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	-
	功能特性	读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能

商品概述

TH58BYG3S0HBAI6是一款单1.8V 8Gbit（8,858,370,048位）的NAND电可擦除可编程只读存储器（NAND E²PROM），其组织形式为(4096 + 128)字节×64页×4096块。该器件有一个4224字节的静态寄存器，允许以4224字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（256 K字节 + 8 K字节：4224字节×64页）。TH58BYG3S0HBA16是一种串行类型的存储器件，它利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，使该器件非常适合用于固态文件存储、语音记录、静态相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储数据的系统等应用。TH58BYG3S0HBAI6芯片上有ECC逻辑，每528字节的8位读取错误可在内部纠正。

商品特性

模式：读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页读取、多页编程、多块擦除、ECC状态读取
模式控制：串行输入/输出，命令控制
有效块数量：最小4016块，最大4096块
电源：VCC = 1.7V至1.95V
访问时间：单元阵列到寄存器55μs（典型值，单页读取）/ 90μs（典型值，多页读取），读取周期时间25ns（最小，CL = 30pF）
编程/擦除时间：自动页编程340μs/页（典型值），自动块擦除3.5ms/块（典型值）
工作电流：读取（25ns周期）最大30mA，编程（平均）最大30mA，擦除（平均）最大30mA，待机最大100μA
封装：P - VFBGA67 - 0608 - 0.80 - 001（重量：0.101g，典型值）
芯片上实现了每528字节的8位ECC

应用领域

固态文件存储
语音记录
静态相机图像文件存储

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	8Gbit
	接口类型	-
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	25ns
	页写入时间(Tpp)	25ns