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L8001G-R20-R
CMOS集成电路，场效应管偏置控制器
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- 描述
- UTC L8001是专门为卫星接收机前端模块设计的集成电路。它为砷化镓（GaAs）或高电子迁移率晶体管（HEMT）场效应管（FET）提供稳定的漏极和栅极偏置条件。UTC L8001可分别对六个场效应管进行偏置控制
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- L8001G-R20-R
- 商品编号
- C171501
- 商品封装
- SSOP-20-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.294克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 3.3V~6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+80℃ |
商品概述
UTC L8001是专门为卫星接收器前端模块设计的集成电路。它为GaAs或HEMT FET提供稳定的漏极和栅极偏置条件。 UTC L8001分别提供六个FET的偏置控制。通过调节两个外部电阻，它可以改变FET的偏置电流，以优化卫星接收器前端模块的性能。 它产生偏置GaAs FET栅极所需的负电压，并在内部提供保护电路，可在电源电压瞬变期间保护FET器件。因此，它在卫星接收器前端模块中非常受欢迎。
商品特性
- 内置FET器件保护电路
- 可调节FET器件工作电流
- 为GaAs和HEMT FET提供稳定的偏置控制
- 最多驱动六个FET
- 宽电源电压范围