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BC856BLT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BC856BLT1G

PNP 电流:100mA 电压:65V

描述
特性:S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
BC856BLT1G
商品编号
C165609
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE)90@10uA,5.0V
属性参数值
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(30000个/圆盘,最小起订量 150000 个)
起订量:150000 个30000个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交59