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FIR10N65FG
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 650V,10A,0.8Ω@10V
- 品牌名称
- FIRST(福斯特)
- 商品型号
- FIR10N65FG
- 商品编号
- C163522
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高电压:BV\textDSS = 650V(最小值)
- 低 C\textrss:C\textrss = 16pF(典型值)
- 低栅极电荷:Qg = 35nC(典型值)
- 低 RDS(on):RDS(on) = 0.8Ω
应用领域
- 负载开关