温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CEP9060N
1个N沟道 耐压:55V 电流:90A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,55V,90A,10.5mΩ@10V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEP9060N
- 商品编号
- C154258
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.314克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.695nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 765pF |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专门为满足消费市场对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常轻便的设计。
商品特性
- 由于品质因数（FOM，即RDS(on) * Q_g和RDS(on) * E_oss）极低，损耗极低。
- 出色的热性能。
- 集成静电放电（ESD）保护二极管。
- 低开关损耗（E_oss）。
- 适用于标准等级应用。
应用领域
推荐用于反激式拓扑，如充电器、适配器、照明应用等。