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CED07N65A
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
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- 描述
- N沟道,650V,6A,1.45Ω@10V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CED07N65A
- 商品编号
- C154250
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 650V、6A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.45 Ω
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- TO - 251和TO - 252封装