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CEM3120
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,30V,10A,15mΩ@10V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEM3120
- 商品编号
- C154304
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 895pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 30V、10A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 15 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 22 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装