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CEP60N06G
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- N沟道,60V,60A,16mΩ@10V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEP60N06G
- 商品编号
- C154210
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.314克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，在小封装中提供极低的漏源导通电阻。
商品特性
- 14 A、30 V。栅源电压为10 V时，漏源导通电阻 = 7.5 mΩ
- 栅源电压为4.5 V时，漏源导通电阻 = 9.0 mΩ
- 低栅极电荷（典型值22 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器