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CEP6186
1个N沟道 耐压:60V 电流:33A
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- 描述
- N沟道,60V,17A
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEP6186
- 商品编号
- C154181
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.314克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 60V、33A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 25 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 32 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- TO-220和TO-263封装