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CEF10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,650V,10A
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEF10N65
- 商品编号
- C154164
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 具备高功率和高电流处理能力。
- 无铅电镀；符合RoHS标准。