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ISL6615AIRZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6615AIRZ
商品编号: C1549618
商品封装: TDFN-10-EP(3x3)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL6615A是一款高速MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中的上下功率N沟道MOSFET驱动进行了优化。该驱动器与英特矽尔（Intersil）的数字或模拟多相PWM控制器相结合，可构成一个完整的高频、高效电压调节器。 ISL6615A可在4.5V至13.2V的范围内驱动上下栅极。这种驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗权衡的应用提供了必要的灵活性。 ISL6615A的低端栅极驱动器典型灌电流为6A，可增强在PHASE节点上升沿期间低端MOSFET的栅极下拉能力，防止因开关节点的高dV/dt导致低端MOSFET自导通而造成功率损耗。集成了先进的自适应零直通保护功能，可防止上下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最短。ISL6615A包含过压保护功能，在VCC超过其开启阈值之前即可工作，此时PHASE节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。转换器的输出电压随后受低端MOSFET的阈值限制，若高端MOSFET短路，可为负载提供一定保护。 ISL6615A还具有一个可识别高阻抗状态的输入，与英特矽尔多相PWM控制器协同工作，可防止在操作暂停时受控输出电压出现负瞬变。此功能无需在电源系统中使用肖特基二极管来保护负载免受负输出电压损坏。

商品特性

用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
先进的自适应零直通保护 - 体二极管检测 - LGATE检测
rDS(ON)传导偏移效应自动归零
可调栅极电压以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
防止自举电容过充
支持高开关频率（高达1MHz） - 6A LGATE灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
支持5V PWM输入逻辑
用于安全关闭输出级的三态PWM输入
满足电源排序要求应用的三态PWM输入迟滞
上电复位前过压保护
VCC欠压保护
可扩展底部铜焊盘以实现更好的散热
双扁平无引脚（DFN）封装 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率并降低外形厚度
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

针对IBA系统的负载点（POL）DC/DC转换器进行优化
英特尔（Inte）和AMD微处理器的核心稳压器
大电流薄型DC/DC转换器
高频高效电压调节模块（VRM）和电压调节装置（VRD）
隔离电源的同步整流

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优惠活动

购买数量

(100个/管，最小起订量 1 个)

个

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	6A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	4.5V~13.2V
	上升时间(tr)	13ns
	下降时间(tf)	10ns
	工作温度	-40℃~+85℃