- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HMC524ALC3B
GaAs MMIC I/Q混频器22 - 32 GHz
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- 描述
- HMC524ALC3B是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），具有I/Q混频器功能。该设备可作为图像抑制混频器或单边带上变频器使用。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC524ALC3B
- 商品编号
- C1526029
- 商品封装
- QFN-12-EP(2.9x2.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 22GHz~32GHz | |
| IF频率范围 | 0Hz~4.5GHz | |
| LO频率范围 | 22GHz~32GHz | |
| 通道数 | - | |
| P1dB | 17dBm | |
| IP3 | 18dBm | |
| 隔离度(L-R) | 35dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离度(L-I) | 25dB | |
| 增益/损耗 | -6dB | |
| 噪声系数 | 15dB | |
| 工作电压 | - | |
| 工作电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | I/Q正交混频；镜像抑制 |
商品概述
HMC524ALC3B 是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），具有同相正交（I/Q）混频器，采用无引脚且符合RoHS标准的表面贴装（SMT）陶瓷封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合耦合器，这些组件均采用GaAs金属-半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造。低频正交混合器产生100 MHz中频输出。
该器件是混合式镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的一种更小的替代方案。HMC524ALC3B消除了对引线键合的需求，允许使用表面贴装制造技术。
应用领域
- 点对点无线电
- 点对多点无线电和VSAT
- 测试设备和传感器