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HMC521ALC4
GaAs MMIC I/Q混频器8.5 - 13.5 GHz
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- 描述
- HMC521ALC4 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 混频器，采用 GaAs 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。该设备可作为图像抑制混频器或单边带上变频器使用。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC521ALC4
- 商品编号
- C1526047
- 商品封装
- QFN-24-EP(3.9x3.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 8.5GHz~13.5GHz | |
| IF频率范围 | 0MHz~3.5GHz | |
| LO频率范围 | 8.5GHz~13.5GHz | |
| P1dB | 8.8dBm | |
| IP3 | 17dBm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离度(L-R) | 39dB | |
| 隔离度(L-I) | 18.5dB | |
| 增益/损耗 | 9dB | |
| 噪声系数 | 14dB | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC521ALC4是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）同相正交（I/Q）混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无引脚芯片载体（LCC）封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器采用两个标准双平衡混频单元和一个90°混合耦合器，采用GaAs金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造。与混合式镜像抑制混频器和单边带上变频器组件相比，该器件体积更小。HMC521ALC4无需引线键合，可采用表面贴装制造技术。
商品特性
- 下变频器，8.5 GHz至13.5 GHz
- 典型转换损耗：9 dB
- 典型镜像抑制：27.5 dBc
- 典型本振（LO）至射频（RF）隔离度：39 dB
- 典型输入三阶交调截点（IP3）：16 dBm
- 宽中频（IF）带宽：直流至3.5 GHz
- 3.9 mm×3.9 mm 24引脚LCC封装：16 mm²
应用领域
- 微波和甚小口径终端（VSAT）无线电
- 测试设备
优惠活动
购买数量
(100个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个100个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单