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HMC219BMS8GE
2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混频器
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- 描述
- HMC219B 是一种超小型通用双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装小型轮廓封装（MINI_SO_EP），带有外露焊盘。该无源单片微波集成电路（MMIC）混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器，频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC219BMS8GE
- 商品编号
- C1526031
- 商品封装
- MSOP-8-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 2.5GHz~7GHz | |
| IF频率范围 | 0MHz~3GHz | |
| LO频率范围 | 2.5GHz~7GHz | |
| P1dB | 11dBm | |
| IP3 | 18dBm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离度(L-R) | 40dB | |
| 隔离度(L-I) | 35dB | |
| 增益/损耗 | 9dB；11dB | |
| 噪声系数 | 8dB | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC219B 是一款超小型、通用的双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装小外形封装（带裸露焊盘）。这款无源单片微波集成电路（MMIC）混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，不需要外部元件或匹配电路。该器件可用作上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器，工作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz。
由于优化了巴伦结构，HMC219B 提供了优异的本地振荡器（LO）到射频（RF）隔离和LO到中频（IF）隔离。符合RoHS标准的HMC219B消除了对引线键合的需求，并且兼容高产量的表面贴装制造技术。一致的MMIC性能提高了系统运行并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规的要求。
应用领域
- 微波无线电
- 高性能无线局域网（HiperLAN）
- 未授权国家信息基础设施（U-NII）
- 工业、科学和医疗（ISM）
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交12单