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RAA220001GNP#HA0

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RAA220001GNP#HA0
商品编号: C1511762
商品封装: WDFN-8-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

RAA220001是一款高频MOSFET驱动器，旨在驱动同步整流降压转换器拓扑中的上、下功率N沟道MOSFET。在RAA220001中，上、下栅极均被驱动至外部施加的电压，这使得在栅极电荷和传导损耗之间进行权衡的应用能够得到优化。该驱动器集成了先进的自适应直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最短。RAA220001集成了一个10kΩ的高端栅源电阻，可防止因输入总线高dV/dt而导致的自导通。此驱动器还具备过压保护功能，该功能在VCC低于上电复位（POR）阈值时仍可工作。PHASE节点通过一个30kΩ的电阻连接到低端MOSFET（LGATE）的栅极，将转换器的输出电压限制在接近低端MOSFET的栅极阈值。这种设计依赖于分流电流，若高端MOSFET发生短路，可为负载提供一定的保护。 RAA220001 MOSFET驱动器专为高速开关而设计，可通过一个外部提供的PWM信号控制高端和低端N沟道FET。这些方法可防止上、下MOSFET同时导通（直通），同时根据所使用MOSFET的栅极电荷特性调整死区时间。该驱动器针对具有大降压比的电压调节器进行了优化。由于在一个开关周期内，低端MOSFET的导通时间更长，因此其尺寸通常比高端MOSFET更大。所以，低端栅极驱动器的尺寸也更大，以满足这一应用需求。

商品特性

用于同步整流桥的双MOSFET驱动
先进的自适应零直通保护
- PHASE检测
- LGATE检测
- rps(on)导通偏移效应自动归零
低待机偏置电流
36V内部自举开关
防止自举电容过充电
集成高端栅源电阻，防止因输入总线高dV/dt而自导通
上电复位前（Pre - POR）过压保护，用于启动和关断
电源轨欠压保护
可扩展底部铜焊盘，增强散热性能
双扁平无引脚（DFN）封装
接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，降低外形厚度
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

高光负载效率电压调节器
先进微处理器的核心调节器
大电流DC/DC转换器

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(6000个/圆盘，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	工作电压	6V~13.2V
	上升时间(tr)	31ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	-40℃~+85℃