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CS5N60A4H
1个N沟道 耐压:600V 电流:5A
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- 描述
- N沟道 600V 5A
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS5N60A4H
- 商品编号
- C140741
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.461克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
CS5N60 A4H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 1.7Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:19.5nC)
- 低反向传输电容(典型值:7.5pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。