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STB30NF10T4
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
- 描述
- N沟道,100V,35A,0.045Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB30NF10T4
- 商品编号
- C140377
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具有出色的制造可重复性。
商品特性
- 卓越的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用