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STS9P2UH7
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- P沟道,20V,9A,22.5mΩ@4.5A,4.5V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS9P2UH7
- 商品编号
- C139727
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.5V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@16V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
该器件具有低导通电阻和电容，可改善传导和开关性能。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的电容和栅极电荷
- 高雪崩耐受性
- 超逻辑电平
应用领域
- 开关应用