A4915METTR-T

A4915专为三相无刷直流电机的脉冲宽度调制（PWM）电流控制而设计。A4915能够为6个全N沟道功率MOSFET提供高电流栅极驱动。内部电荷泵可确保在低至7 V的电源电压下实现栅极驱动，并在低至5 V时提供有限的栅极驱动。自举电容用于产生高于高端MOSFET源极电压的电源电压，这是N沟道MOSFET所必需的。 内部同步整流控制电路可改善PWM操作期间外部MOSFET的功耗。内部电路保护包括锁存式热关断、死区时间保护和欠压锁定。无需特殊的上电时序。 A4915采用带外露散热焊盘的28引脚TSSOP封装（后缀LP）和带外露散热焊盘的28引脚5×5 mm QFN封装（后缀ET）。这些封装为无铅（Pb）封装，引脚框架采用100%雾锡电镀。 A4915是一款三相MOSFET驱动器，旨在驱动高电流MOSFET。它专为低压操作至关重要的电池供电设备而设计。A4915还具有低电流睡眠模式，可禁用器件并使电源电流消耗降至最低。A4915能够驱动6个N沟道MOSFET。换相逻辑包括用于外部PWM控制的使能、方向和制动模式。 提供一个速度输入，允许外部信号以典型30 kHz的频率对电桥进行PWM控制。通过向SPEED引脚施加0 V至VDD的模拟电压来控制PWM占空比。

• 5至50 V电源电压
• 带故障输出的锁存式热关断（TSD）
• 驱动六个N沟道高电流MOSFET
• 内部控制的同步整流
• 速度电压输入可实现全桥内部PWM占空比控制
• 中心对齐PWM
• 内部欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护
• 霍尔开关输入
• 可调死区时间保护
• 适用于电池供电应用的低功耗睡眠模式